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2018.10.10パワーデバイス基板

今後大幅に拡大が予測される自動車の電動化(HEV・PHEV ・EV・FCV)や鉄道車両に必須となるSi3N4放熱板及び絶縁板において、当社 PIM工法において初めて以下の基本特性をクリアしました。

厚さ 0.32mm±0.15
曲げ強度 700Mpa 以上
熱伝導率 70w/mk 以上

パワーデバイスに必要とされるセラミックス等の絶縁基板は、絶縁性のみならず、放熱に必要な高い熱伝導率と応力歪みや衝撃に耐えられる高い機械特性が要求されます。

この度、本来のSi3N4基板が持つ、熱伝導率約30w/mkを70w/mk以上に高めることが可能な新材料を自社で開発、二律背反(熱伝導率を高めると強度が不足)する曲げ強度の双方を両立、併せて0.32mmという薄肉の焼結体の開発に成功しました。